En esta página se describe el
uso de un
simulador electrónico, se lanza el applet y se proponen una serie de ejercicios.
1.-
Manejo del Simulador.
El Applet ejecutado a continuación simula el
comportamiento de un transistor MOSFET con una configuración en
fuente común. En el mismo se pueden modificar todos los
parámetros del transistor polarizado en continua, es decir, la
tensión umbral Vt y el factor de transconductancia (K). Es
posible también modificar los parámetros del circuito de
polarización, es decir, la tensión de entrada (Vin), la
tensión de alimentación (Vdd), así como los
valores de las resistencias de drenador (Rd) y puerta (Rg).
Bloques del simulador: El simulador tiene cinco
zonas diferenciadas:
Bloque de Resultados: En
la parte central aparecen todos los parámetros del circuito y
los resultados del análisis en continua.
Recta de carga: El
equivalente al bloque de resultados en forma gráfica. Se
muestran las curvas características del transistor MOSFET, la
recta de carga y el punto de trabajo.
Circuito: La ventana del
circuito muestra el circuito con los parámetros actualizados.
Ecuaciones: La zona de
ecuaciones muestra las ecuaciones correspondientes a la rama del
circuito. El resultado de las mismas depende del estado del transistor.
Control de parámetros: Esta
zona se controla el valor de todos los parámetros del circuito.
Modificar el valor de los parámetros de los
elementos del circuito y del transistor es sencillo. Primero se
selecciona
el parámetro y después introduce el valor sin unidades y
sin múltiplos. El valor se modifica tecleándolo
directamente en el
cuadro de texto vapl o con la
barra de desplazamiento. Obsérvese que la barra recorre desde un
mínimo y un máximo que se pueden adecuar al experimento.
2.- Lanzador applet.
3.- Ejercicios.
Cambie la tensión de entrada a Vin=5V, después
varía el valor de la resistencia Rd desde el máximo hasta
el mínimo. ¿Entre que zonas de funcionamiento se
encuentra el punto de trabajo del MOSFET? ¿Sería posible
cortar el transistor variando el valor de la resistencia Rd?
Con una resistencia Rd=10KΩ y una Vin=5V, ¿cambia el punto
de trabajo en algo si modifico Rg? ¿por qué?
Con una resistencia Rd=10KΩ y una Rg=500KΩ, ¿es posible
variando la tensión de entrada hasta cortar el transistor?
¿para que tensión de entrada se corta? ¿hacia
donde va el punto de trabajo?
¿Que ocurre si en lugar de disminuir Vin lo aumento?
¿es posible conseguir una VDS=0V? ¿Por qué?
Para una tensión de entrada de 2V , ¿cambia el
estado del transistor si se cambia el parámetro Vt a 1V?. Ahora
en qué zona de funcionamiento está el situado el punto de
trabajo del MOSFET.
